收藏本站
NTLGD3502N
TYPICAL MOSFET II N-CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
7
T J = 25 ° C
7
V DS ≥ 10 V
6
5
4
3
V GS = 2.4 V to 10 V
2.2 V
2V
6
5
4
3
2
1.8 V
2
25 ° C
100 ° C
1
1
0
1.6 V
0
T J = -55 ° C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.2
0.1
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. On-Region Characteristics
I D = 3.4 A
T J = 25 ° C
0.12
0.1
0.08
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
0.06
V GS = 4.5 V
0
0.04
1
2 3
4
5
6
1.5
2.5
3.5
4.5
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
1.8
I D = 3.4 A
1000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 15. On-Resistance vs. Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 4.5 V
100
10
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
0.8
0.6
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 16. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
6
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTLGF3402PT2G MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
NTLJD2104PTBG MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN
NTLJD2105LTBG MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN
NTLJD3115PTAG MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN
NTLJD3119CTBG MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN
NTLJD3181PZTBG MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN
NTLJD3182FZTBG MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
NTLJD3183CZTBG MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN
相关代理商/技术参数
NTLGF3402P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −3.9 A FETKY, P−Channel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6
NTLGF3402PT1G 功能描述:MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A FETKY T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLGF3402PT2G 功能描述:MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLGF3501NT1G 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A FETKY T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLGF3501NT2G 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJD105L 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTLJD119C 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTLJD2104P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET